Infineon eleva a SIC a una nueva era para el mejoramiento de la tecnología |
Posted: July 15, 2016 |
Aparatos que llevan a la tecnología a un nuevo nivel, usando SIC MOSFETS permite conversión para operar al triple o más, el cambio de la frecuencia conducen a beneficios, algo que era imposible hasta ahora, Dr. Helmut Gassel, presidente de Infineon´s Industrial Power Control dijo “que estos aparatos lograron un nuevo nivel que jamás antes había sido posible llegar, son más pequeños y contienen un ligero sistema para menos transportación y más fácil instalación”.
Así como llegamos a una nueva era llena de nuevas posibilidades que la tecnología siga cambiando, los SIC MOSFETS son una prueba de ello, optimizado para combinar fiabilidad con rendimiento. Operan en una magnitud más baja que 1200 V, esto reduce las perdidas y también apoyan al mejoramiento del sistema en aplicaciones como Fotovoltaico inversores y sistemas de carga/almacenamiento entre otros, esto también extiende el apoyo a drivers industriales y a la durabilidad de la vida de los aparatos.
Los MOSFITS son compatibles con +15 V/-5V voltage usados para conducir IGBTs, su estructura combina rango de voltaje de umbral de referencia (V th) de 4V con un corto circuito robusto que es requerido por la aplicación y totalmente controlable características dv/dt. Esto inicialmente apoya a mejoras del sistema en aplicaciones como Fotovoltaico inversores y sistemas de carga/almacenamiento entre otros, esto también extiende el apoyo a drivers industriales también se extiende a controladores industrials.
La última evolución de la familia Infineons de SIC Technology incluye schottky diodes, 1200 V J- FET aparatos y una gama de soluciones hibridas que integra una mejor carga de la batería, ahorro de energía y la integración de un cuerpo robusto de conmutación diodo funcionamiento.
Para Infineon esto es la culminación de años de experiencia y mejoras, realmente algo para tener a la vista. http://uscomponent.blogspot.com/2016/07/infineon-eleva-sic-una-nueva-era-para.html
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